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MPS2SENS熱釋電紅外探測(cè)器

簡(jiǎn)要描述:MTS2SENS 熱電堆探測(cè)器:該探測(cè)器在 -20 至 85 °C 的環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作,覆蓋廣泛的應(yīng)用范圍:NDIR 氣體分析、工業(yè)過程和廢氣測(cè)量以及呼吸氣體監(jiān)測(cè)。

  • 產(chǎn)品品牌:Micro-Hybrid
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2024-09-26
  • 訪  問  量:206

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詳細(xì)介紹

品牌Micro-Hybrid應(yīng)用領(lǐng)域綜合

MPS2SENS carbon dioxide

MPS2SENS hydrocarbon

MPS2SENS carbon monoxide

MPS2SENS sulfur dioxide

MPS2SENS sulfur hexafluoride

MPS2SENS nitrous oxide

MPS2SENS nitrogen monoxide

MPS2SENS alcohol

MPS2SENS flurane

MPS2SENS halothane

描述

MPS2SENS 二氧化碳探測(cè)器的窄帶濾光片,中心波長(zhǎng)為4265 ± 25 nm,半高寬為120 ± 10 nm,專為測(cè)量二氧化碳(CO2)而優(yōu)化,并帶有參考通道(中心波長(zhǎng):3910 ± 28 nm,半高寬:70 ± 10 nm)。該探測(cè)器適用于醫(yī)療、工業(yè)和環(huán)境技術(shù)中的苛刻應(yīng)用。憑借其高達(dá)100 Hz的非常高讀出率和短響應(yīng)時(shí)間,它能夠可靠且快速地提供精確的測(cè)量結(jié)果。

熱釋電探測(cè)器 MPS2SENS 二氧化碳基于兩片具有薄膜 CPM 膜的芯片。得益于陶瓷熱釋電材料(CPM),探測(cè)器具有高達(dá)4.0*10^8 cmHz^(1/2)/W 的非常高探測(cè)度和高達(dá)200,000 V/W 的靈敏度。Micro-Hybrid 的熱釋電傳感器的信號(hào)質(zhì)量較高。

該探測(cè)器在 -20 至 85 °C 的環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作,覆蓋廣泛的應(yīng)用范圍:NDIR 氣體分析、工業(yè)過程和廢氣測(cè)量以及呼吸氣體監(jiān)測(cè)。

應(yīng)用

  • NDIR 氣體分析

  • 氣體監(jiān)測(cè)

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

  • 更高的精度和信噪比

  • 由于內(nèi)部信號(hào)放大,對(duì)外部干擾的敏感度較低

  • 由于熱質(zhì)量低,溫度波動(dòng)的影響較小

  • 高達(dá)100 Hz 的更高讀出率

  • 短響應(yīng)時(shí)間

  • 針對(duì)苛刻應(yīng)用的解決方案

特點(diǎn)

  • 基于 MEMS 的 CPM 膜的兩片芯片

  • 寬光譜靈敏度 2 – 15 μm,優(yōu)化范圍為 3 - 5 μm

  • 高響應(yīng)度,調(diào)制頻率高達(dá) 100 Hz

  • 低麥克風(fēng)效應(yīng),膜質(zhì)量小

  • 極低的溫度依賴性

  • 電流模式下的信號(hào)放大

技術(shù)參數(shù)

技術(shù)參數(shù)

數(shù)據(jù)

單位

有效面積

2 x (0.7 x 0.7)

mm2

相對(duì)孔徑

2 x (1.5 x 1.5)

mm2

模式

Current


熱時(shí)間常數(shù) t(0-63%)

typ. 16

ms

電時(shí)間常數(shù) t(0-63%)

typ. 2

ms

交流靈敏度 1, 2, 3

typ. 200 000

V/W

噪聲密度電壓 1

typ. 50

μV/Hz1/2

噪聲等效功率 NEP 1, 2, 3

typ. 4 x 10^

W/Hz1/2

特定探測(cè)度 D* 1, 2, 3

typ. 4 x 10^

cmHz1/2/W

微音電壓 1

typ. < 1000

μV/g

濾光片

請(qǐng)參見文件“Infrared filters",可根據(jù)要求定制濾光片。

工作電壓 VDD

+5 ± 10 %

V DC

工作電壓 Voffset

+2,5 ± 10 %

V DC

工作電流

max. 10

mA

工作溫度

-25 ... +85

°C

外殼

TO39


  1. 在 Tamb = 25 °C,10 Hz,帶寬 1 Hz 下

  2. 黑體 T = 500 K;E = 38 W/m2

  3. 無(wú)窗口影響

典型操作特性

電氣示意圖

電路

等效電路圖

機(jī)械制圖

底部

頂部

截面圖

產(chǎn)品概述

型號(hào)

類型

填充氣體

低溫度

最高溫度

相對(duì)孔徑

氣體

PS2x4C2-A-U-S1.5-K-E1/D2

TO39 with cap

Kr

-25 °C

85 °C

1.5 mm

CO?

PS2x4C2-A-U-S1.5-Kr-F1/D2

TO39 with cap

Kr

-25 °C

85 °C

1.5 mm

CO

PS2x4C2-A-U-S1.5-Kr-G2/D2

TO39 with cap

Kr

-25 °C

85 °C

1.5 mm

HC

PS2x4C2-A-U-S1.5-Kr-H1/D5

TO39 with cap

Kr

-25 °C

85 °C

1.5 mm

SO?

PS2x4C2-A-U-S1.5-Kr-J1/D5

TO39 with cap

Kr

-25 °C

85 °C

1.5 mm

SF6

PS2x4C2-A-U-S1.5-Kr-K1/D2

TO39 with cap

Kr

-25 °C

85 °C

1.5 mm

N?O

PS2x4C2-A-U-S1.5-Kr-L1/D2

TO39 with cap

Kr

-25 °C

85 °C

1.5 mm

NO

PS2x4C2-A-U-S1.5-Kr-M1/D5

TO39 with cap

Kr

-25 °C

85 °C

1.5 mm

-OH

PS2x4C2-A-U-S1.5-Kr-U1/D5

TO39 with cap

Kr

-25 °C

85 °C

1.5 mm

Halothane

PS2x4C2-A-U-S1.5-Kr-X1/D5

TO39 with cap

Kr

-25 °C

85 °C

1.5 mm

xFlurane



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