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Si單元探測(cè)器：Si單元探測(cè)模塊集成了超低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲隔離電源單電源供電，輸出信號(hào)不受外部供電電源的影響，具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點(diǎn)。

InGaAs蝶形單元探測(cè)器：蝶形封裝單元探測(cè)器集成低噪聲PIN探測(cè)器以及跨阻放大器，探測(cè)器采用單電源供電；在兼具原探測(cè)器模塊性能基礎(chǔ)上，其尺寸更小，重量更輕，功耗更低，特別符合目前設(shè)備系統(tǒng)集成小型化趨勢(shì)需求。

MPS2SENS LiTaO?熱釋電紅外探測(cè)器：該熱電探測(cè)器具有高達(dá) 2.0*10^8 cm·Hz^(1/2)/W 的探測(cè)度和 120,000 V/W 的靈敏度，適用于農(nóng)業(yè)、工業(yè)、醫(yī)學(xué)、環(huán)境和電力工程領(lǐng)域的 NDIR 氣體分析應(yīng)用。在高達(dá) 25 Hz 的讀出速率下，熱電探測(cè)器提供可靠且有效的測(cè)量結(jié)果。

MPS4SENS熱釋電紅外探測(cè)器：傳感器特性包括 2 - 15 µm 的寬光譜響應(yīng)（優(yōu)化范圍為 3 - 5 µm）、高達(dá) 100 Hz 的調(diào)制頻率的高靈敏度、由于膜片質(zhì)量小而麥克風(fēng)效應(yīng)低、非常低的溫度依賴性以及以電流模式放大的信號(hào)。

MTS2SENS 熱電堆探測(cè)器：該探測(cè)器在 -20 至 85 °C 的環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作，覆蓋廣泛的應(yīng)用范圍：NDIR 氣體分析、工業(yè)過程和廢氣測(cè)量以及呼吸氣體監(jiān)測(cè)。

MTS2SENS 熱電堆探測(cè)器：IR熱電堆 MTS2SENS200 二氧化碳的基礎(chǔ)是兩個(gè)芯片，每個(gè)芯片包含200個(gè)鉍銻/銻熱電偶。得益于它們以及氪氣的填充，該探測(cè)器具有非常高的探測(cè)度，高達(dá)6.27*10^8 cm√Hz/W，靈敏度高達(dá)171 V/W。信號(hào)質(zhì)量可與熱釋電探測(cè)器相媲美，因此在NDIR組件范圍內(nèi)提供了額外的選擇。

MTS4SENS 熱電堆探測(cè)器：這款四通道探測(cè)器基于四個(gè)芯片，每個(gè)芯片包含44個(gè)硅熱電偶。通過在TO39封裝中填充氪氣，IR熱電堆實(shí)現(xiàn)了高達(dá)1.61*10^8 cm√Hz/W的探測(cè)度和高達(dá)39 V/W的靈敏度，同時(shí)具有非常好的性價(jià)比。該探測(cè)器適用于車輛尾氣測(cè)量、過程分析或工業(yè)氣體測(cè)量等多種應(yīng)用，在-20至85°C的環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作，因此在NDIR組件產(chǎn)品組合中提供了額外的選擇。

MTS1TEMP/MTS1HIGHTEMP 熱電堆探測(cè)器：這款基于MEMS技術(shù)的高靈敏度單通道熱電堆探測(cè)器，配備了80個(gè)鉍銻合金/銻熱電偶。其較高的探測(cè)度高達(dá)12.2*10^8 cmHz^1/2/W，以及高達(dá)501 V/W的靈敏度，得益于兩個(gè)關(guān)鍵因素。該探測(cè)器具有針對(duì)光學(xué)系統(tǒng)優(yōu)化的薄膜——輻射敏感的熱電偶對(duì)齊于一個(gè)焦點(diǎn)。氪氣填充進(jìn)一步提高了熱電堆的探測(cè)度和靈敏度。